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Parylene采用一種獨特的化學氣相沉積工藝（CVD），CVD工藝最早應用在半導體工業的外延生長，整個過程是氣態反應，又在真空條件下進行，因而可以獲得非常均勻的涂層，達到其它方法難以實現的同形性。
氣態單體進入沉積腔室，首先彌漫在工件表面，當吸附到各個表面后開始聚合和結晶，直接形成固體，避免了液相的出現，清除了厚度的不均勻和涂層中的缺陷.
Parylene是在專用的真空氣相沉積設備中，通過升華（120℃/1.33Mpa）→裂解（650℃/1.33Mpa）→氣化（120℃/1.33Mpa）→沉淀涂層（25℃/1.33Mpa）→ 這幾個步驟來完成對工件表面的涂膜。
1，在真空狀態下和120度的條件下將固態原料升華成氣態
2，在650度將氣態原料裂解成具有反應特性的活性單體。
3，活性單體在室溫條件下沉積并聚合
涂膜的工藝特點：
與通常的浸涂、噴涂、電鍍、電泳等工藝不同的是，該工藝在預處前無需對工件進行酸洗、磷化，有效地防止了工件內因殘留酸和水及氧氣而引起的由內而外的腐蝕現象。
由于Parylene是在真空環境中作氣相沉積，因而陡直的邊沿、裂縫、還是細微的針孔內壁，都能進行有效的滲透,且各處均勻一致。其生成的透明膜層厚度可以輕易地控制在0.1-100微米之內。
PARYLENE膜層的主要特點：
可形成無針孔膜層； 可得到極薄的膜層；
可精確地控制膜層厚度； 各處厚度均勻一致；
有極好的防潮濕性能； 可以抗風化
可防止產品表面微粒脫落； 材料無色并高透明度;
具有極高的絕緣強度； 高熱穩定性（使用溫度可高達400℃）
深圳市東田精密光電有限公司
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聯系人：張小姐 QQ：1311719714
傳真：0755-28110952
網站：www.dt-parylene.com
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