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    隨著IC需求持續(xù)成長(zhǎng)，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner再度上調(diào)2010年全球晶圓制造廠資本支出預(yù)測(cè)值。由于各大晶圓廠快速擴(kuò)張45/40奈米制程，NANDFlash及DRAM制造業(yè)者轉(zhuǎn)型至3x節(jié)點(diǎn)(3xnode)制程，該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2010年晶圓制造設(shè)備銷(xiāo)售將大增113.3%，而2011年成長(zhǎng)率上看7.2%。

    Gartner副總裁KlausRinnen認(rèn)為，2010年新世代制程的轉(zhuǎn)換將成推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備成長(zhǎng)的動(dòng)力之一。隨著45/40奈米制程設(shè)備需求快速擴(kuò)張，相關(guān)資本支出亦大為成長(zhǎng)。英特爾(Intel)的3x奈米制程投資、NANDFlash制造商加碼投資，及DDR3DRAM內(nèi)存世代交替均為推動(dòng)晶圓制造設(shè)備投資成長(zhǎng)的部分因素。

    據(jù)估計(jì)，2010年封裝設(shè)備投資成長(zhǎng)率上看104.7%，2011年名目成長(zhǎng)率約0.7%，較2009年的衰退32%大為好轉(zhuǎn)。Rinnen認(rèn)為，隨著2010年進(jìn)入尾聲，加上全球經(jīng)濟(jì)局勢(shì)改變，晶圓訂單漲幅將趨緩。盡管2011年晶圓制造設(shè)備將持續(xù)成長(zhǎng)，但隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)幅度趨緩，其投資支出漲幅亦將顯著下滑。

    該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，其中又以晶圓封裝、3D制程、TSV(ThroughSiliconVias；TSV)等先進(jìn)制程需求漲幅最為顯著，而其檢測(cè)及品管工具需求成長(zhǎng)幅度亦將超越市場(chǎng)平均。

    !曾于2009年第1季跌至谷底的自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備(AutomatedTestEquipmen=FATE)市場(chǎng)2010年成長(zhǎng)率上看133%。2010年第1季ATE市場(chǎng)快速成長(zhǎng)，其漲勢(shì)可望持續(xù)至第3季，成為自2006年以來(lái)ATE年成長(zhǎng)率首次由負(fù)轉(zhuǎn)正。2009年ATE市場(chǎng)跌至谷底，其內(nèi)存測(cè)試市場(chǎng)規(guī)模曾一度跌破2億美元的水平。

    Rinnen預(yù)估，隨著經(jīng)濟(jì)衰退告終，2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將展現(xiàn)強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能。但該成長(zhǎng)動(dòng)力可能于2011年消退，使使長(zhǎng)久以來(lái)的景氣循環(huán)盛衰反差不大。

    若半導(dǎo)體產(chǎn)能持續(xù)過(guò)度擴(kuò)張，則2013年可能出現(xiàn)更嚴(yán)重的大規(guī)模景氣低潮。屆時(shí)，隨著市場(chǎng)景氣疲弱、平均產(chǎn)品價(jià)格(ASP)下滑，內(nèi)存制造業(yè)者如何因應(yīng)將決定市場(chǎng)能否避免落入大規(guī)模衰退的命運(yùn)。