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新世紀十年回望?突破瓶頸

經過兩個五年計劃，在重大科技專項的帶動下，我國集成電路產業發展突飛猛進，特別是在65納米技術代已構建起配套的集成電路裝備、工藝和材料技術創新體系，突破了核心技術，部分產品已進入國際市場銷售。

10年前，清華大學微電子學研究所教授、中國工程院院士李志堅在接受科技日報記者采訪時認為，發展整個集成電路沒有上升為國家行為；同時，在發展集成電路方面缺少長期規劃，從而制約了我國集成電路產業的快速發展。

近日，記者就這一問題采訪中國科學院微電子所所長葉甜春，他表示，過去發展整個集成電路沒有上升為國家行為的局面如今得到根本性改變，研究經費與十年前相比，有了幾十倍的增長。“現在，國家有兩個重大專項用于支持集成電路的發展，另外在通信專項中也有部分用于研發集成電路。這樣算起來，有兩個半的重大專項了。”

為打造集成電路產業的創新集群和產業集群，“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”重大科技專項將重點放在產業鏈的構建上。專項在實施中尤其注重頂層設計，進行整體布局、組織與整合。2009年12月，專項成立首個聯盟??集成電路封測產業鏈技術創新聯盟。據悉，今后還將陸續成立光刻機、65?22納米工藝研發和硅材料等聯盟，充分發揮“大軍團作戰”的協同能力，推進我國集成電路封測產業鏈的形成和產業整體核心競爭力的提升。

由于研發能力的薄弱，通過拍攝和放大已有芯片照片得到版圖幾何圖形的“反向設計”一度在我國集成電路產業中十分流行，由此造成我國集成電路產業自主創新能力停步不前。對此，葉甜春表示，我國微電子產業十年前流行的反向設計方式如今已基本擯棄。“國內目前的專業人才培養也是正向設計方式，現在已看不到什么反向設計的產品，我們比過去更關注知識產權。”

自主研發為國人帶來了可喜的實惠。中微半導體設備（上海）有限公司研制開發出具有獨立自主知識產權的65?45納米介質刻蝕機，并完成了65納米工藝各項優化工作。與世界上最先進設備的芯片加工結果相比，該機單位投資的產出量高35%到50%，芯片加工成本低30%到35%，芯片生產線廠房面積節省35%到50%，而且改進后可以有更先進工藝芯片的加工能力。

目前，該機已成功打入國際市場，在5家亞洲客戶芯片生產線投入使用，成功改變了過去幾十年先進半導體設備長期被西方發達國家壟斷的局面，打破了發達國家在核心半導體制造設備方面對我國的壟斷和技術封鎖，改變了國際上刻蝕設備市場的競爭格局。

實際上，我國已經有一批集成電路企業走在國際前沿，在研發、設備和產品等各個環節正在闊步前進，部分已進入國際市場打拼。中芯國際“65納米低漏電產品工藝”整體研發基本完成，并實現小批量量產；北京七星華創的氣體質量流量計已向國外燃料電池行業批量供貨。由江蘇長電和南通富士通牽頭承擔的集成電路制造關鍵封測設備、材料應用工程，攻克了10多項重大關鍵技術，已有20種設備和7種材料產品進入大生產線考核驗證，企業成功獲得了國際國內高端客戶連續增長的訂單。

“在微電子領域，我國進步最快的是制造業，與世界先進水平相比，差距正大幅度縮小，雖然總體技術水平還差1?2代，但我們在嵌入式存儲器領域、先進封裝技術等領域有不小突破。”葉甜春說。

從長遠來看，國家在集成電路領域也有著更多考慮。“圍繞著國民經濟發展和改善民生的重大任務，每一個專項都有明確的目標、任務和時間表，每一個專項的具體目標和任務都經過專家們的反復論證。”科技部重大專項辦公室許?表示。